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Dispositivos electrónicos. Problemas resueltos

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    La electricidad es una de las principales fuentes de energía utilizadas en el mundo actual. Sin ella no existiría ni la iluminación como la conocemos hoy, ni las comunicaciones de radio y televisión, ni tampoco Internet. Alejando Volta, con el invento de su pila, consiguió producir corriente eléctrica de forma continua. Éste es el origen de la electrodinámica. Más tarde Oersted demostró experimentalmente la relación entre electricidad y magnetismo. Es este el momento crucial en que surgen las primeras nociones sobre el electromagnetismo, cuyo desarrollo ha permitido algunos de los mayores avances tecnológicos de la Humanidad.Este libro invita no sólo a conocer los conceptos esenciales de la electricidad desde su manifestación a escala atómica hasta las leyes que rigen el comportamiento de los circuitos, sino también a reflexionar sobre la importancia de la producción y distribución de la electricidad en el desarrollo de los pueblos. Aprenderá, asimismo, a realizar de forma práctica medidas de tensión, resistencia e intensidad con el empleo del polímetro digital.Para finalizar, encontrará más de una treintena de ejercicios completamente explicados y resueltos para que ponga en práctica los conceptos aprendidos.Este libro invita no sólo a conocer los conceptos esenciales de la electricidad desde su manifestación a escala atómica hasta las leyes que rigen el comportamiento de los circuitos, sino también a reflexionar sobre la importancia de la producción y distribución de la electricidad en el desarrollo de los pueblos. Aprenderá, asimismo, a realizar de forma práctica medidas de tensión, resistencia e intensidad con el empleo del polímetro digital.Para finalizar, encontrará más de una treintena de ejercicios completamente explicados y resueltos para que ponga en práctica los conceptos aprendidos.Para finalizar, encontrará más de una treintena de ejercicios completamente explicados y resueltos para que ponga en práctica los conceptos aprendidos.

    Atributos LU

    TítuloDispositivos electrónicos. Problemas resueltos
    AutorVarios autores
    Tabla de ContenidoPrefacio

    Capítulo 1
    Estados electrónicos y bandas de energía en Semiconductores


    1.1 Redes cristalinas I
    1.2 Redes cristalinas II
    1.3 Índices de miller
    1.4 Estructura de bandas I
    1.5 Estructura de bandas II
    1.6 Estructura de bandas III
    1.7 Cálculo de velocidades y masas efectivas
    1.8 Transporte de portadores en un campo eléctrico
    1.9 Densidad de estados energéticos. Semiconductor Tridimensional
    1.10 Densidad de estados energéticos. Semiconductor Bidimensional
    1.11 Estadística de semiconductores
    1.12 Centros tripolares
    1.13 Efecto hall
    1.14 Centros profundos
    1.15 Generación y recombinación de portadores
    1.16 Recombinación auger
    1.17 Problemas propuestos

    Capítulo 2
    Transporte en semiconductores


    2.1 Pseudoniveles de fermi
    2.2 Tiempos de relajación
    2.3 Ecuaciones de continuidad I
    2.4 Ecuaciones de continuidad II
    2.5 Evolución temporal del exceso de portadoresI
    2.6 Ionización por impacto I
    2.7 Problemas propuestos

    Capítulo 3
    La unión metal-semiconductor


    3.1 Relación entre cargas, potenciales y corrientes
    3.2 Unión metal-semiconductor en circuitos
    3.3 Cálculo del potencial en diodos metal-semiconductor
    Intrínseco-semiconductor dopado
    3.4 Uniones metal-semiconductor óhmicas
    3.5 Cálculo de la capacidad de transición. Estudio de los Perfiles de dopado
    3.6 Problemas propuestos

    Capítulo 4
    La unión PN

    4.1 Relación entre cargas, potenciales y corrientes
    4.2 Modelo de gran señal del diodo, resistencia interna
    4.3 Corrientes de generación y recombinación
    4.4 Capacidad de la unión pn y cálculo de perfiles de dopado
    4.5 Modelo de control de carga, tiempo de almacenamiento
    4.6 Problemas propuestos

    Capítulo 5
    El transistor bipolar


    5.1 Cargas y corrientes en el transistor bipolar
    5.2 Polarización de transistores pnp
    5.3 Modelo de pequeña señal del tb
    5.4 Transistor bipolar de deriva, dopado de base no uniforme.Transistores de base gradual
    5.5 Rotura en un transistor bipolar por multiplicación en Avalancha y punchthrough
    5.6 Problemas propuestos

    Capítulo 6
    Estructura metal-aislante-semiconductor


    6.1 Relación entre carga y potencial
    6.2 Fuerte inversión. Tensión umbral
    6.3 Débil inversión. Efecto de los estados de superficie
    6.4 Capacidades en la estructura mis
    6.5 Procesos de generación y recombinación en la
    Estructura mis
    6.6 Procesos de formación de carga estática en la puerta y Ruptura del aislante de la estructura mis
    6.7 Cálculo del potencial en una estructura mis de doble
    Puerta simétrica
    6.8 Problemas propuestos

    Capítulo 7
    Transistores de efecto campo


    7.1 Transistores de efecto campo de unión I
    7.2 Transistor de efecto campo de unión II. Región deSaturación
    7.3 Transistor mosfet
    7.4 Estudio del efecto cuerpo en transistores mosfet
    7.5 Corriente sub-umbral. Mosfet en inversión débil
    7.6 Modulación de la longitud del canal
    7.7 Saturación de la velocidad de los portadores en el Canal
    7.8 Efectos de canal corto y estrecho
    7.9 Modelo de pequeña señal
    7.10 Mosfet en circuitos
    7.11 Transistor mosfet soi
    7.12 problemas propuestos

    Capítulo 8
    Dispositivos optoelectrónicos


    8.1 Absorción óptica de un semiconductor
    8.2 Fotoconductor
    8.3 Células solares I
    8.4 Células solares II
    8.5 Problemas propuestos

    Apéndice A. Tablas
    Tabla 1. Constantes físicas en las unidades usuales
    Utilizadas en electrónica física y dispositivos electrónicos. Ecuaciones fundamentales

    Tabla 2. Símbolos utilizados para representar las distintas
    Magnitudes físicas

    Tabla 3. Valor de los parámetros más comunes en
    Semiconductores usuales en la industria microelectrónica
    (sze, 2007; muller y kamins, 1977) a t=300k

    Tabla 4.1. Niveles de energía de las impurezas elementales en
    Silicio (sze, 2007; muller y kamins, 1977)

    Tabla 4.2. Funciones trabajo para metales interesantes en la
    Industria microelectrónica

    Tabla 4.3. Submúltiplos

    Tabla 4.4. Relación de einstein

    Tabla 5. Distintas configuraciones de la unión
    Metal-semiconductor

    Tabla 6. Expresiones útiles para el estudio de la unión PN
    Abrupta y lineal

    Tabla 7. Expresiones útiles para el estudio del BJT ideal con
    Dopado constante en las zonas de emisor, base y colector

    Tabla 8. Expresiones útiles para el estudio del MOSFET ideal
    Con dopado constante de sustrato

    Notas al concepto y la definición de tensión umbral

    Apéndice B. Cálculos usuales
    B1. Métodos de resolución de ecuaciones no lineales
    B2. Teorema de gauss para el cálculo del campo eléctrico en Un semiconductor
    B3. Cálculo del campo eléctrico en estructuras donde la
    Densidad de carga depende del potencial eléctrico
    B4. Cálculo sencillo de diferencias de potencial en una
    Estructura semiconductora

    Referencias
    Índice alfabético
    TipoLibro
    ISXN9789588675473
    Año de Edición2011
    Núm. Páginas383
    Peso (Físico)650
    Tamaño (Físico)17 x 24 cm

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